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欧洲纳米电子研究联盟实现激光器与硅调制器的单片集成

转载 国防科技信息网 2016-03-28 作者: 审核专家:

  [据美国化合物半导体公司网站2016年3月21日报道] IRT Nanoelec是一家以微纳电子通信技术为研究重点的研发联盟,日前,该联盟宣布采用直接晶片键合技术将三五族/硅激光器同硅马赫-曾德尔调制器集成在一起。

  研究团队演示了25Gbps的单通道传输率。这一速率通常由外部激光源通过10公里长的单模光纤实现。

  目前的互联技术,采用微米化的光集成技术,将分立的激光源和硅光路装配在一起,将很快遭遇极限,必须找到新方案来解决日益增长的数据传输问题。将光的传输能力集成到硅芯片上,将极大提高带宽、密度和可靠性,同时显著降低能量消耗。在硅光芯片时代,数据传输将以每秒太比特来计量。

  为了实现最近的成果,尽管也能在不远的将来采用300毫米晶圆,但硅光路同调制器相集成首先在200毫米的绝缘体上硅晶圆上进行。随后,两英寸的三五族材料晶圆被直接键合在其上面。

  最后,合在一起的晶圆采用通常的半导体/MEMS工艺步骤进行处理,生产集成了调制器和激光器的发射器。(工业和信息化部电子科学技术情报研究所  王巍)

  新闻来源:http://www.dsti.net/Information/News/99009

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